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Product laser

产品中心
IGBT/SiC激光退火设备
产品简介
精确的单/双脉冲控制，对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。
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产品特点

激活深度≥7µm

单位小时产出＞25 @8"

优异的方阻均匀性和表面颜色

完整的全程监控反馈能力

支持超薄片、TAIKO片、翘曲片退火

具备激光辅助加热系统

应用领域
标准晶圆、平边晶圆、Notch晶圆、Taiko晶圆
技术指标
设备型号 DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
适用晶圆尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
激光能量密度 ≥5J/cm² ≥5J/cm² ≥5J/cm² ≥5J/cm²
激光稳定性 ≤ 2%，RMS
激活率 ≥95% @B Implant，≥90% @P Implant
均匀性 片内：≤1%，片间：≤1%，@8"，RS
洁净度控制 ≤30 @ 0.5µm，≤5 @ 1µm
自动传片系统 双晶圆装载口、多关节机器手、预准直器
应用案例